[10p-PB5-1~55] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[10p-PB5-41] Sulfurization process for MoS₂ sputtered films and Raman characterization

〇Sho Yamauchi¹, Kenta Seki¹, Noriyuki Hasuike¹, Koji Nishio¹, Kenji Kisoda², Susumu Kamoi³ (1.Kyoto Inst. Tech., 2.Wakayama Univ., 3.Kyoto Prefectural Technology Center)

Keywords:molybdenum disulfide, raman spectra, sulfurization process

二次元層状物質であるMoS₂は、単層化することで直接遷移半導体に転移する等の興味深い性質を示す。本研究では、実用化において重要な要素となる大面積での成膜が可能な高周波スパッタ法を用いることで、MoS₂膜の最適な成膜条件と後処理条件の検討を行った。条件の検討を行うにあたり、MoS₂膜の結晶性をラマン散乱分光法により評価した。