[10p-PB5-1~55] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[10p-PB5-46] Layer-number dependence of NCCDW-ICCDW phase transition in TaS₂

〇Yasushi Ishiguro¹, Naoko Kodama², Kirill Bogdanov³, Alexander Baranov³, Kazuyuki Takai^1,2 (1.Dept.of Chemical Science and Technology, Hosei Univ., 2.Graduate School of Science and Engineering, Hosei Univ., 3.ITMO Univ.)

Keywords:Transition Metal Dichalcogenide, TaS2, CDW phase transition

グラフェンやMoS₂といった2次元物質の中で，電荷密度波（CDW）相転移を示す物質群が近年注目されている．TaS₂はCDW相転移を示す代表的な2次元物質であり，最近では次元性（層数）を変調させたときに低温領域（～150 K）におけるCDW相転移について転移温度や電子物性がバルク結晶における転移とは異なる挙動を示すことが報告されている．しかし，層数を変調させたときのバルク結晶とは異なる挙動の発現原理については明らかになっていない．本研究では，低次元化したときのCDW相転移の原理解明のために，TaS₂の高温領域（350 K～）におけるCDW相転移（Nearly Commensurate CDW - Incommensurate CDW）に注目し，層数を変調させたときの相転移に伴う電気伝導度やラマンスペクトルの変化を測定した．