[10p-PB5-1~55] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

△ [10p-PB5-53] Fabrication and Electrical Properties of MoS2 Transistors for Application of Gas Sensor

〇Shoji Maeda¹, Christopher Perini², Toyokazu Kaneko¹, Daiju Terasawa³, Akira Fukuda³, Masatoshi Koyama¹, Akira Fujimoto¹, Yoshiyuki Harada¹, Kazuto Koike¹, Mitsuaki Yano¹, Eric Vogel² (1.Osaka Inst. of Tech., 2.Georgia Tech., 3.Hyogo College of Med.)

Keywords:Layered materials

グラフェンと見かけ上同じハニカム構造を持ち，バンドギャップを有するMoS2を用いることによる高感度ガスセンサへ向けた応用が期待されている．そこで，Si基板上に大面積のMoS2を合成し，そのトランジスタ作製と電気特性の評価を行う．また，MoS2/グラフェンのファンデルワールスヘテロ構造の電気特性も議論する．