2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[10p-S221-1~10] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2019年3月10日(日) 13:45 〜 17:00 S221 (S221)

入沢 寿史(産総研)、内田 建(東大)

14:00 〜 14:30

[10p-S221-2] [第10回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 基板バイアスを印加した薄膜BOX-SOI SRAMにおける重イオンソフトエラー:線状複数反転により100倍になった感受性

小林 大輔1、廣瀬 和之1、伊藤 大智2、梯 友哉2、川崎 治2、牧野 高紘3、大島 武3、松浦 大介4、成田 貴則4、加藤 昌浩4、石井 茂4、益川 一範4 (1.JAXA宇宙研、2.JAXA研開、3.量研、4.三菱重工業(株))

キーワード:ソフトエラー、SOI、IoT

第10回シリコンテクノロジー分科会論文賞という名誉ある賞を賜り,誠にありがとうございます. 受賞対象となった同名論文について,これまでに応用物理学会で発表した内容とその後の進展を合わせてご紹介します.それは新しいソフトエラーの仕組みについてであり,「埋め込み酸化膜がその下に発生した放射線由来の雑音を遮断するからSOIはソフトエラーに強い」という教科書によくある説明が常に成り立つとは限らないという事を示すものです.