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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[10p-S221-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年3月10日(日) 13:45 〜 17:00 S221 (S221)

入沢寿史(産総研)、内田建(東大)

15:00 〜 15:15

[10p-S221-4] [第10回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] IV族半導体薄膜の固相成長：多結晶でも高移動度

〇都甲薫^1,2、茂藤健太¹、今城利文¹、髙原大地¹、斎藤聖也¹、吉峯遼太¹、末益崇¹ (1.筑波大院数理物質、2.JST さきがけ)

キーワード：ゲルマニウム