[10p-S222-1~15] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[10p-S222-12] Analysis of holes trap capacity in a low-voltage operation organic field effect transistor memory

〇Yasuyuki Abe¹, Heisuke Sakai¹, Hideyuki Murata¹ (1.JAIST)

Keywords:low-voltage operation, Vth shift, holes trap

本研究では閾値電圧(V_th)シフトとpoly(vinyl cinnamate)(PVCN)層にトラップされるホール数の関係について定量的に解析をした。駆動電圧 5 V を実現するとともに V_thを 40 V 以上シフトさせることに成功した。-160 V以上のプログラミング電圧を印加してもPVCN層にトラップされるホール数が飽和し、さらなるV_thのシフトが起こらなかったと結論づけた。