[10p-S222-1~15] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

△ [10p-S222-6] High-Speed Organic Single-Crystal Transistor by Damage-Free Lithography Process

〇(DC)Akifumi Yamamura^1,2, Takaaki Sakon¹, Mari Sasaki¹, Shun Watanabe^1,2,3, Toshihiro Okamoto^1,2,3, Jun Takeya^1,2,4,5 (1.Univ. of Tokyo, 2.OPERANDO-OIL, 3.JST PRESTO, 4.NIMS, 5.PI-CRYSTAL Inc.)

Keywords:organic semiconductor, contact resistance

有機トランジスタの高速動作には、半導体／コンタクト電極界面にのみ選択的にドーパント層を形成することで接触抵抗を低減する方策が有効であるが、短チャネル素子の作製にはシャドウマスクを用いた汎用プロセスの適用は困難である。本研究では、有機半導体にダメージを与えずに電極界面にのみドーパント層を形成するリソグラフィ手法を開発し、極薄有機単結晶を活性層に用いた短チャネル素子を作製し、その高周波特性を評価した。