The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Symposium (Oral)

Symposium » Pioneering of Frontier technology for metal oxide novel device I -from thin film fabrication to device creation -

[10p-W241-1~8] Pioneering of Frontier technology for metal oxide novel device I -from thin film fabrication to device creation -

Sun. Mar 10, 2019 1:30 PM - 5:15 PM W241 (W241)

Kosaku Shimizu(Nihon Univ.), Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.)

4:45 PM - 5:00 PM

[10p-W241-7] Thin Film Growth Mechanism in Mist CVD

Toshiyuki Kawaharamura1,2, Misaki Nishi1, Li Liu1, Masahito Sakamoto1, Phimolphan Rutthongjan1, Shota Sato1, Mariko Ueda1, Tatsuya Yasuoka1, Ryo Hasegawa1, Yuki Tagashira1, Tamako Ozaki1, Giang T. Dang1 (1.School of Sys. Eng., Kochi Univ. of Tech., 2.Res. Inst., Kochi Univ. of Tech.)

Keywords:mist CVD, thin film growth mechanism

ミストCVDでは供給された液滴中に含まれる原料がどのように薄膜形成に寄与しているのか明確にはわかってなかった。今回は実験と理論からミストCVDにおける薄膜成長メカニズムが判明したので、報告する。