[10p-W321-1~16] 13.9 Compound solar cells

[10p-W321-11] Characterization of electronic structure at Cu₂Zn(Sn,Ge)Se₄ surface and CdS/Cu₂Zn(Sn,Ge)Se₄ heterointerface

〇Takehiko Nagai¹, Yuya Iwamoto², Kohei Tanigawa², Hiroya Hamada², Nobuyoshi Ota², Hitoshi Tampo¹, Shinho Kim¹, Hajime Shibata¹, Koji Matsubara¹, Shigeru Niki¹, Norio Terada² (1.AIST, 2.Kagoshima Univ.)

Keywords:CZTGSe, Kesterite, UPS/IPES

本発表では、正・逆光電子分光法(UPS・IPES)ならびにX線光電子分光法（XPS）を用い、Cu₂Zn(Sn,Ge)Se₄ (CZTGSe)の表面電子状態、ならびに、CdS/CZTGSeヘテロ接合界面の電気的接合状態について明らかにしたので、これらに関する報告を行う。レーザー照射条件下におけるXPS測定を行うことで、フェルミ準位は、表面欠陥により強くピン止めされていない事を明らかにした。また、CZTGSe上にCdSを段階的に堆積しつつ、XPS、UPS、IPES測定を行うことで、伝導帯オフセット(CBO)および価電子帯オフセット(VBO)を求めた。その結果、伝導帯の接合状態は、スパイクからフラット構造へと変化する事が明らかとなった。