[10p-W321-1~16] 13.9 Compound solar cells

[10p-W321-3] Characterization of electronic structure at the interface between CdS buffer and epitaxial Cu(In,Ga)Se₂ absorber

〇(M1)Kohei Tanigawa¹, Yuya Iwamoto¹, Yusei Takagi¹, Yoshiaki Nishizono¹, Jiro Nishinaga², Takehiko Nagai², Shigeru Niki², Norio Terada^1,2 (1.Kagoshima Univ., 2.AIST)

Keywords:epitaxial CIGS, PES/IPES

CIGS系太陽電池では、バンドギャップ傾斜が再結合抑制・キャリア輸送に有益であること、粒界がキャリア再結合を抑制する電子構造を持つこと等から多結晶層を用いることが高効率発現に重要とされてきた。一方、エピタキシャル成長条件を最適化したCIGS(epi.-CIGS)層を用いた電池が20%を発現することが報告されている。今回epi.-CIGS表面状態、CdS/epi.-CIGS界面バンド接続を正・逆光電子分光法により評価したので報告する。