[10p-W321-1~16] 13.9 Compound solar cells

[10p-W321-4] Change of Cu-Se phase on Cu(In,Ga)Se₂ film surface by Se irradiation process

〇Seunghwan Ji¹, Naoki Suyama¹, Kazuyoshi Nakada¹, Akira Yamada¹ (1.Tokyo tech.)

Keywords:CIGS solar cell, Cu-Se phase, Se irradiation process

これまで本研究室では，n型バッファ層/Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)ヘテロ接合界面での再結合速度を低減する手法として，Se照射プロセスを開発してきた。これは，界面にCu欠損層(CDL)を導入，価電子帯オフセット(ΔE_V)を形成することにより界面再結合を制御する手法である。今回は，CDL形成のメカニズムについて検討を加えたので報告する。