[10p-W321-1~16] 13.9 Compound solar cells

[10p-W321-5] Influence of Ga/(Ga+In) ratio on Cu-rich stage in 3-stage process

〇Takumi Kobayashi¹, Tatsuhiro Shimoyama², Ken Matsuo², Kazuyoshi Nakada¹, Akira Yamada¹ (1.Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Tech., 2.School of Engineering, Tokyo Tech.)

Keywords:3-stage process, Crystal growth

我々は高Ga組成CIGSにおける膜の高品質化を目的とし、３段階蒸着法をベースにした製膜条件の再検討を行っている。３段階蒸着においては、２段階目終了付近のCIGS・Cu_2-xSeの二相共存状態を経由する結晶成長が大きな特徴である。本報告では、In, Ga組成の異なるサンプル間でCu過剰組成の膜について比較観察を行い、高Ga組成CIGSの成長に関する問題点並びにその改善方法について検討した。