[10p-W323-1~16] 6.4 薄膜新材料

△ [10p-W323-5] 反応性マグネトロンスパッタ法を用いたEuH₂エピタキシャル薄膜の作製

〇(M1)小松 遊矢¹、清水 亮太^1,2、小林 成¹、西尾 和記¹、一杉 太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ)

キーワード：希土類水素化物、エピタキシャル薄膜、反応性スパッタ

希土類水素化物は、水素脱挿入や光照射など多様な外場操作によって可逆的な電気的・光学的特性変化を示す興味深い物質群である。ユウロピウム二水素化物(EuH₂)は強磁性半導体として知られるが、Eu薄膜を金属Pd極薄膜を触媒として水素化した報告例しかなく、真の電子物性測定が困難であった。そこで本研究では、反応性マグネトロンスパッタ法を用いたEuH₂エピタキシャル薄膜の直接合成を試みたので報告する。