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△ [10p-W323-7] パルスレーザ堆積法で成長したCrN薄膜の電子物性
キーワード：窒化クロム、電子物性、薄膜
窒素圧力依存性を調べるとともに，異なる基板を用いて窒化クロム(CrN)単結晶薄膜を作製した．成長条件に応じて高温側において絶縁体から金属へ移り変わる傾向が見られた．電子濃度は成長条件に依らず～1021cm-3程度であった一方で，ホール移動度は成長条件に強く依存し，高移動度の試料ほどより金属的な伝導を示した．これにより，金属と絶縁体の境界に位置するCrNの導電性の制御因子を考察した．