[10p-W351-1~9] CS.8 9.4 熱電変換、12.3 機能材料・萌芽的デバイス、合同セッションＭ「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション

△ [10p-W351-6] 横型Siナノワイヤ熱電変換デバイスにおけるSiO₂絶縁膜/Si基板の最適厚さ設計

〇富田 基裕¹、松川 貴²、松木 武雄^1,2、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

キーワード：シリコン、熱電変換、熱回路

我々はこれまで、SOIウェハ上にSiナノワイヤ(NW)を空中架橋せず直接置いた熱電発電デバイスを考案し、SiNWが短くなるほど高い発電密度が得られることを示した。SiNWとSi基板を絶縁するSiO₂層には最適な膜厚があることを過去に報告した。しかし、最適膜厚が決まる法則は未解明だった。本研究では等価熱回路モデルによって、発電密度を最大にする最適なSiO₂層膜厚がどのようにして決まるかを調査した。