[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-10] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaN / n-AlGaN方向性結合器の設計

〇(M1)紀平 将史¹、三輪 純也¹、小松 天太¹、上向井 正裕¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：GaN、方向性結合器、光導波路

本研究では電界印加型位相シフタを含むMZIの作製にむけて、GaN導波層の下にn-AlGaN導電性クラッド層を設けた導波路構造においてGaN DCの設計を行った。3次元ビーム伝搬法（BPM）により波長810 nm（TM基本モード）における1:1分波 DCの設計を行った。次に結合導波路間隔0.30 μm のときの1:1分波結合長L1:1の導波路幅依存性を調べた。