[10p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-W541-15] Electrical evaluation of oxide film formed in GaN oxide-formed two-step wet-etching method

〇(M1C)Yasuharu Kiyotou¹, Makie Tetsuo¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo University of Technology, 2.Institute of Industrial Science, the University of Tokyo)

Keywords:GaN, Anodic oxidation

GaNは化学的に安定しておりウェットエッチングが困難であるため，通常ドライエッチングが用いられるが，低ダメージかつ制御性の高いエッチングの方法として，ウェットエチングの適用を検討することは重要である。前回の応用物理学会においては，電気化学的手法によるGaNの陽極酸化と，酸化物除去による2段階ウェットエッチング法について報告した。そこで今回は，通電による陽極酸化を行った領域の電気的特性を調べた。