[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-15] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における酸化膜の電気的評価

〇(M1C)清藤 泰旦¹、牧繪 哲男¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大学、2.東京大学生産技術研究所)

キーワード：GaN、陽極酸化

GaNは化学的に安定しておりウェットエッチングが困難であるため，通常ドライエッチングが用いられるが，低ダメージかつ制御性の高いエッチングの方法として，ウェットエチングの適用を検討することは重要である。前回の応用物理学会においては，電気化学的手法によるGaNの陽極酸化と，酸化物除去による2段階ウェットエッチング法について報告した。そこで今回は，通電による陽極酸化を行った領域の電気的特性を調べた。