講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年3月10日(日) 13:30 〜 19:00 W541 (W541)

岩谷素顕(名城大)、本田善央(名大)、新田州吾(名大)

18:00 〜 18:15

[10p-W541-17] GaN(0001)表面におけるステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

〇秋山亨¹、相可拓巳¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化ガリウム