[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-19] 化学反応を含むGaN結晶成長流体シミュレーション手法の開発

〇榊原 聡真¹、川上 賢人²、高村 昴²、洗平 昌晃⁴、草場 彰³、岡本 直也²、芳松 克則⁴、寒川 義裕³、柿本 浩一³、白石 賢二⁴ (1.名大工、2.名大院工、3.九大応力研、4.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、有機金属気相成長、化学反応

次世代パワー半導体としてワイドギャップ半導体であるGaNが注目を集めている。しかし、GaN結晶の製造には炭素の取り込みなどの問題がある。その問題については化学種がどのように分布しているのかを知り、適切な結晶成長条件を満たすよう、結晶装置内の流れを制御することが必要である。それゆえ、本研究は原料ガスの分解反応プロセスを流体のシミュレーションに組み込み、化学種の分布状態を調べることを目指して研究を行う。