[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-5] Pendeo成長GaNを下地とした3次表面グレーティングを有する横結合分布帰還型GaN系半導体レーザの設計と作製

〇高木 健太¹、安藤 壮¹、森岡 佳紀²、上向井 正裕²、片山 竜二²、今井 大地¹、宮嶋 孝夫¹ (1.名城大理工、2.阪大院工)

キーワード：半導体

周期240nm、深さ100nmの3次回折格子を表面に有するGaN系横結合型DFBレーザを設計し、それをPendeo成長GaN上に作製した。光励起測定により、励起パワー密度2.2MW/cm²にてレーザ発振を確認した。また、励起パワーの増加に伴う発振波長シフトが最大でも0.1nm程度しか生じなかったことから、作製したPendeo-GaN上のDFBレーザは回折格子による波長選択性が得られたと考えられる。