[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-7] 両極性同時成長法を用いたGaN-QPM結晶の作製および光学特性評価

〇松久 快生¹、小林 佑斗¹、杉田 篤¹、井上 翼¹、中野 貴之¹ (1.静大院工)

キーワード：GaN、MOVPE、DP-SAG

GaNはc軸方向に対しGa極性面およびN極性面が存在する．各極性の特徴を利用し，極性構造を用いることでQPM結晶が作製可能であり，SHGデバイスの実現として期待されている．GaN-QPM結晶の作製方法としてカーボンマスクを用いた両極性同時成長法が提案され，開発されている．本研究では現在までに確認された狭ピッチパターン両極性同時成長法の最適条件を用いてGaN-QPM結晶の作製を行い，光学特性を評価した．