[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-8] AlN光導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器

〇(M1)森岡 佳紀¹、山口 修平¹、正直 花奈子²、林 侑介³、三宅 秀人^2,3、塩見 圭史¹、藤原 康文¹、上向井 正裕¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：AlN、グレーティング結合器、光導波路

これまで我々は深紫外光発生用AlN極性反転積層チャネル導波路第2高調波発生デバイスの設計について報告した。しかし、その導波路断面は微小であり端面結合によるレーザ光入射は困難である。光導波路型グレーティング結合器を用いれば、その開口の大きさから端面結合に比べ入射ビームの位置合わせが格段に容易となる。本研究では、AlNスラブ導波路にレーザ光を結合させる入力グレーティング結合器の設計と試作結果を示す。