2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[10p-W611-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

2019年3月10日(日) 13:30 〜 17:30 W611 (W611)

傍島 靖(岐阜大)、大橋 史隆(岐阜大)

15:45 〜 16:00

[10p-W611-9] 太陽電地モジュールにおける電圧誘起劣化箇所の一検討― フィンガー電極近傍での局所的劣化の可能性 ―

吉田 弘樹1、大橋 史隆1、亀山 展和1、傍島 靖1、原 由紀子2、増田 淳2、野々村 修一1 (1.岐大工、2.産総研)

キーワード:電圧誘起劣化、シリコン太陽電地モジュール

電圧誘起劣化(Potential Induced Degradation: PID)は,高温多湿な環境で太陽電地モジュールとフ レーム等の間に高電圧が印加されて発生することが知られている。高電圧印加時,フィンガー電 極がリーク電流の一経路となり得るなら,封止剤や反射防止膜表面を流れるリーク電流に加えてNa イオンなども集まり,フィンガー電極近傍が局所的に劣化される可能性がある。そこで,太陽 電地に対して,受光面からフォトンを注入する PL (Photoluminescence)法と,電極からキャリヤを注入する EL (Electroluminescence)法の測定結果を比較することで,フィンガー電極近傍における劣化について検討した。