[10p-W631-1~12] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10p-W631-10] 強誘電体トランジスタにおいて観察される急峻スロープの起源

〇右田 真司¹、太田 裕之¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大院工)

キーワード：強誘電体、トランジスタ、ハフニア

本研究では強誘電体キャパシタとMISキャパシタとの面積比を調整したMFMIS型ゲートスタック構造を有するFE-FETを作成して電気特性を調べ、適切な面積比を採用した時に急峻スロープ特性が顕著に現れることを観測した。この現象は、分極反転が生じる際に強誘電体キャパシタに電荷が発生し、これに釣り合う電荷がMISキャパシタ側にも生成し、その結果として通常のゲート電圧変調よりも大きな電荷量の変化が半導体チャネルにもたらされているためであると我々は解釈する。