[10p-W631-1~12] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10p-W631-8] 300 °C低温形成したHf_xZr_1−xO₂薄膜の強誘電性

〇女屋 崇^1,2,3、生田目 俊秀²、澤本 直美¹、大井 暁彦²、池田 直樹²、長田 貴弘²、小椋 厚志¹ (1.明大、2.物材機構、3.学振特別研究員DC)

キーワード：強誘電体HfxZr1−xO2薄膜、原子層堆積法

近年、強誘電体Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜の成膜手法として、O₃やH₂Oガスを酸化剤とした原子層堆積(TH-ALD)法が主に検討されている。また、キャパシタの電極材料としてTiNを用いることで、400 °Cの低温プロセスにおいても良好な強誘電性を示すことが報告されている。本研究では、H₂Oガスと比べて酸化力の強いプラズマ酸素ガスを用いたプラズマALD (PE-ALD)法及び300 °Cの低温度熱処理プロセスで作製したHZO膜の強誘電性について調べた。