15:45 〜 16:00 [10p-W631-8] 300 °C低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性 〇女屋 崇1,2,3、生田目 俊秀2、澤本 直美1、大井 暁彦2、池田 直樹2、長田 貴弘2、小椋 厚志1 (1.明大、2.物材機構、3.学振特別研究員DC)