[10p-W631-1~12] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[10p-W631-8] Ferroelectricity of Hf_xZr_1−xO₂ thin films fabricated using low temperature process at 300 °C

〇Takashi Onaya^1,2,3, Toshihide Nabatame², Naomi Sawamoto¹, Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Takahiro Nagata², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:ferroelectric HfxZr1-xO2 thin film, atomic layer deposition

近年、強誘電体Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜の成膜手法として、O₃やH₂Oガスを酸化剤とした原子層堆積(TH-ALD)法が主に検討されている。また、キャパシタの電極材料としてTiNを用いることで、400 °Cの低温プロセスにおいても良好な強誘電性を示すことが報告されている。本研究では、H₂Oガスと比べて酸化力の強いプラズマ酸素ガスを用いたプラズマALD (PE-ALD)法及び300 °Cの低温度熱処理プロセスで作製したHZO膜の強誘電性について調べた。