2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月10日(日) 13:45 〜 18:15 W641 (W641)

木下 健太郎(東理大)、西 佑介(京大)

16:45 〜 17:00

[10p-W641-12] TiO2-xエピタキシャル薄膜を用いた4端子メモリスタ素子の抵抗変化特性

三宅 亮太郎1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.阪大基礎工)

キーワード:メモリスタ、薄膜、TiO2