[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [10p-W641-12] TiO_2-xエピタキシャル薄膜を用いた４端子メモリスタ素子の抵抗変化特性

〇三宅 亮太郎¹、藤平 哲也¹、酒井 朗¹ (1.阪大基礎工)

キーワード：メモリスタ、薄膜、TiO2