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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月10日(日) 13:45 〜 18:15 W641 (W641)

木下健太郎(東理大)、西佑介(京大)

17:00 〜 17:15

△ [10p-W641-13] Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_x/Pt素子における2種類の抵抗変化現象

〇金上尚毅¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：抵抗変化メモリ、ペロブスカイト酸化物、スパッタリング