[10p-W641-1~17] 6.3 Oxide electronics

△ [10p-W641-15] Introducing MOF single crystal into small CBRAM devices by a selective growth method of MOF

〇(M1)Atsushi Shimizu^1,2, Kentaro Kinoshita¹, Yusuke Nakaune¹, Hisashi Shima², Makoto Takahashi², Yasuhisa Naitoh², Hiroyuki Akinaga² (1.Tokyo Univ. of Sci., 2.AIST)

Keywords:MOF, ReRAM, CBRAM

導電性ブリッジメモリ(CBRAM)は，アナログ動作が可能で，ニューロデバイス利用に向けた研究が盛んである．しかし，CBRAMには，スイッチ電圧や抵抗比がばらつく等の課題がある．この課題を解決するため，我々はCBRAMのメモリ層を従来の金属酸化物膜から金属有機構造体(MOF)に置き換えることを提案してきた．今回，実デバイス構造にMOFを導入するため，MOFを選択的に合成する手法を提案すると同時に，同素子で確認されたCBRAM動作について報告する．