[10p-W833-1~17] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

△ [10p-W833-11] Reversible resistance change to gamma-ray irradiation in a Ge-(Sb)-Te thin film with Ag-Pt electrodes

〇(B)Tatsuya Watanabe¹, Hyoseong Park¹, Isao Yoda², Yoshinori Shohmitsu³, Shigeo Kawasaki³, Toshihiro Nakaoka¹ (1.Sophia Univ., 2.Tokyo Tech, 3.Japan Aerospace Exploration Agency)

Keywords:chalcogenide, radiation sensor, gamma-ray

Ge-(Sb)-Te薄膜は相変化メモリ等に応用されている代表的な相変化材料であり、我々はこれを用いた放射線センサーへの応用を進めている。これまでに、Ge-(Sb)-TeにAg電極を用いたAgの異常拡散に基づくガンマ線照射による抵抗変化を報告してきた。本研究ではAg電極を不活性なPtにより保護して電極構造を改善することによって、ガンマ線照射に対し、10kΩ付近の抵抗値において安定した可逆な抵抗変化を示す素子を作製できたのでこれを報告する。