[10p-W833-1~17] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[10p-W833-7] Effect of textured glass substrates with various surface roughness on the crystallization mechanism of electron-beam-evaporated amorphous Si films induced by FLA

〇Keisuke Kurata¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Flash lamp annealing, silicon, Crystallization

表面粗さを変更したテクスチャガラス基板上に形成したEB蒸着a-Si膜に対しFLAを行い、発現する結晶化機構の変化について調査を行った。ラマンスペクトルから導出した半値幅から平坦基板上とRIE処理を60–90 min行ったガラス基板上において過去に報告されているECと同様の結晶化機構の発現が確認された。しかし、RIE処理100 min以上の試料では半値幅から小粒径化することが示唆され、RIE処理100 min以上の試料ではECの発現が抑制されたと考えられる。