2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.5 レーザー装置・材料

[10p-W834-1~14] 3.5 レーザー装置・材料

2019年3月10日(日) 13:15 〜 17:00 W834 (W834)

戸倉川 正樹(電通大)、古瀬 裕章(北見工大)

14:15 〜 14:30

[10p-W834-5] Cr4+:YAGセラミックスの可飽和吸収特性

佐藤 庸一1、平等 拓範1,2 (1.分子研、2.理研)

キーワード:受動Qスイッチ、セラミックス、Cr:YAG

Cr4+:YAGセラミックスではCr4+の均一性が高いものを作成することが可能であり、Cr4+:YAGセラミックスのレーザー製品に対する適正は単結晶よりも高いことが予想される。今回、Cr4+:YAG単結晶における可飽和吸収モデルをもとにCr4+:YAGセラミックスの特性を予測し、検証した。