[10p-W933-1~9] 新デバイス・材料開発のためのナノスケール2次元/3次元分析(II)

[10p-W933-1] デバイスから見た2D/3Dﾅﾉ計測の必要性

〇臼田 宏治¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：半導体、デバイス、立体構造

Si系半導体は、21世紀初頭より、所謂スケーリング則を指導原理とする開発限界を打破すべく、微細化に頼らない高性能化技術にも注力する事となる。その代表例の一つが平面型素子の3次元化で、トランジスタチャネルの立体構造への変更や、積層化技術を駆使した3次元メモリ素子の実現などが典型例である。そこで本講演ではSi系半導体素子の最新動向を紹介し、その開発を支えるナノ解析技術への期待の一端について議論する。