[10p-W933-1~9] 新デバイス・材料開発のためのナノスケール2次元/3次元分析(II)

[10p-W933-6] ミラー電子顕微鏡によるSiCウェハ表面微小欠陥検出

〇長谷川 正樹¹、小林 健二¹、兼岡 則幸¹、尾方 智彦¹、大平 健太郎¹、川上 和弘¹、郡司 毅志¹、小貫 勝則¹ (1.日立ハイテク)

キーワード：ミラー電子顕微鏡、SiC、結晶欠陥

ミラー電子顕微鏡は負電位が印加された試料の表面近傍で跳ね返った電子線を結像することにより，試料表面の電位分布を非破壊で可視化する顕微鏡である。次世代パワーデバイス材料として導入が進むSiCウェハの欠陥検出技術への適用について紹介する。