[11a-70A-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [11a-70A-1] 高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価

〇原 征大¹、浅田 聡志²、前田 拓也²、木本 恒暢² (1.京大工、2.京大院工)

キーワード：炭化珪素、ショットキー障壁ダイオード、熱電界放出