[11a-70A-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [11a-70A-2] 第一原理計算によるSiC/SiO₂界面近傍の炭素関連欠陥の構造同定

〇(P)小林 拓真¹、松下 雄一郎¹ (1.東工大フロンティア)

キーワード：界面欠陥、第一原理計算

SiC MOSFET では、SiC/SiO₂界面の高密度欠陥準位による移動度劣化が問題となっている。これまでにC関連欠陥が界面準位の起源として広く疑われてきたが、その安定構造を界面近傍の全領域 (SiC 側、SiO₂側、ジャスト界面) で理論的に調査した報告はほぼ皆無である。そこで我々は、エネルギー論に従い、界面近傍の全領域でC 欠陥の安定構造の同定を行った。さらに、安定な欠陥については欠陥準位の計算も行なったので、それを報告する。