[11a-M111-1~10] 12.1 作製・構造制御

[11a-M111-7] 真空蒸着法におけるDNTTとその誘導体の核形成機構

〇服部 吉晃¹、木村 由斉¹、吉岡 巧¹、北村 雅季¹ (1.神戸大工)

キーワード：DNTT、ペンタセン、二次元核

近年，優れた安定性と高いキャリア移動度をもつ有機電界効果トランジスタを実現するために，低分子有機材料の標準材料といえるペンタセンの一部をチオフェンに置き換えたDinaphthothienothiophene (DNTT)やそれをコア構造として分子の長軸方向に側鎖を導入した誘導体が注目されている．これらの有機材料は真空蒸着法により薄膜を形成できるが，分子構造の違いが薄膜の成長機構にどのように影響するか明らかでない．そこで本研究では，熱酸化シリコン基板上にペンタセン，DNTTおよびDiphenyl (DPh)-DNTTを数nm蒸着させて，基板表面が薄膜で覆われる前の蒸着初期段階の成長機構に関して比較を行った．