[11a-M113-1~11] 6.2 Carbon-based thin films

△ [11a-M113-2] Characterization of Leakage Current in Diamond pn⁺ Junction Using EBIC Technique

〇Takuya Murooka¹, Toshiharu Makino², Masahiko Ogura², Hiromitsu Kato², Satoshi Yamasaki², Takayuki Iwasakai¹, Julien Pernot³, Mutsuko Hatano¹ (1.Tokyo Tech., 2.AIST, 3.Inst. NEEL/CNRS)

Keywords:Diamond, Leakage Current, EBIC

ダイヤモンドpn接合における主な電流リークパスは転位をはじめとする結晶欠陥だと考えられているものの、これを実験的に検証した例はない。本研究ではダイヤモンドpn⁺ダイオードのリーク電流評価をEBIC法を用いて行った。EBIC測定から、デバイス中に欠陥由来と思われるホットスポットが検出された。その密度とリーク電流の間には強い相関があることから、このホットスポットがリークパスに深く関係していると考えられる。