[11a-M113-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [11a-M113-2] EBICを用いたダイヤモンドpn⁺接合におけるリーク電流の評価

〇室岡 拓也¹、牧野 俊晴²、小倉 政彦²、加藤 宙光²、山崎 聡²、岩崎 孝之¹、Julien Pernot³、波多野 睦子¹ (1.東工大、2.産総研、3.Inst. NEEL/CNRS)

キーワード：ダイヤモンド、リーク電流、EBIC

ダイヤモンドpn接合における主な電流リークパスは転位をはじめとする結晶欠陥だと考えられているものの、これを実験的に検証した例はない。本研究ではダイヤモンドpn⁺ダイオードのリーク電流評価をEBIC法を用いて行った。EBIC測定から、デバイス中に欠陥由来と思われるホットスポットが検出された。その密度とリーク電流の間には強い相関があることから、このホットスポットがリークパスに深く関係していると考えられる。