[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-1] GaN中への窒素によるMgのリコイルインプランテーションの試み(3)

〇山田 寿一¹、山田 永¹、長南 紘志¹、田岡 紀之¹、高橋 言緒¹、清水 三聡^1,2 (1.産総研、2.名大工)

キーワード：GaN、リコイルインプランテーション、Mg

イオン注入のダメージを低減させるため、Mgを、GaN層上に積層した上、そこに窒素原子を集中的に注入し、はじき出されたMgがGaNバルク層に入るようにした(リコイルインプラテーション)。さらに窒素雰囲気下950℃アニール処理後の低温PL測定において、弱いながらDAPによる発光が確認された。