[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-10] 原子拡散接合で作製したInGaAs/a-Ge/InGaAs接合部のバンド構造評価

〇山田 友輝¹、魚本 幸²、島津 武仁²、名田 允洋³、中島 史人¹、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研究所、2.東北大学、3.NTT デバイスイノベーションセンタ)

キーワード：ウエハ接合、バンド構造

ウエハ接合は異種材料の組み合わせによる光・電子デバイス特性の飛躍的な向上に有効な技術として注目されている。これまで我々は、InGaAsをa-Geを介して接合し、その少数キャリア応答特性を報告してきた。デバイス設計にはバンドエンジニアリングが必要であるが、接合に起因したバンドの曲りによってキャリア輸送が阻害されることが予想される。今回我々は、同材料系における接合部近傍のバンド構造を評価した結果を報告する。