[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-11] HSQを用いたInGaAsナノシート構造作製法評価

〇(M1)北村 稔¹、金澤 徹¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大工)

キーワード：半導体、ナノシート

ナノシート架橋構造作製には、チャネルリリースの際に歩留まりが悪いことが問題としてある。今回の発表は、チャネルリリースの条件出しに結晶成長を逐一行うのではなく、ナノシートの両端をHSQによって固定することで、条件出しを簡便に行ったことを報告する。