[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-4] 注入深さ･極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス

〇秩父 重英^1,2,3、嶋 紘平¹、井口 紘子⁴、成田 哲生⁴、片岡 恵太⁴、小島 一信¹、上殿 明良⁵ (1.東北大多元研、2.名大未来研、3.北大量エレ研、4.豊田中央研究所、5.筑波大数物)

キーワード：窒化物半導体、Mgイオン注入、時間分解フォトルミネッセンス

縦型GaNパワーデバイスの実現には、チャネルやコンタクト層等に用いるp型GaN:Mgを任意の場所にイオン注入(I/I)により形成する事が望ましく、I/I誘起欠陥を注入後のアニール(PIA)により低減することが必須となる。我々は、GaN基板上にエピ成長やI/Iにより形成されたGaN:Mgのフォトルミネッセンス(PL)評価を行ってきた。本講演では、箱型プロファイルの深さや極性面の異なるI/I-GaN:MgのPLおよび時間分解PL特性を比較する。