[11a-M136-1~10] 12.3 Functional Materials and Novel Devices

[11a-M136-4] Dual-gate Organic Field-Effect Transistor based flexible strain sensor

〇Kosei Takeuchi¹, Heisuke Sakai¹, Hideyuki Murata¹ (1.JAIST Univ.)

Keywords:OFET

近年、我々は感圧部にP(VDF-TrFE)を用いたDual-gate型有機電界効果トランジスタ (Organic Field-Effect Transistor, OFET) 型有機圧力センサの作製に成功した。そこで、今回はこの素子構造をひずみの検出に応用した。最大駆動電圧の小さなOFETを用いて、P(VDF-TrFE)のひずみによる分極変化を増幅させることにより低消費電力と高感度を両立させたOFET型ひずみセンサの実現を目指した。この素子に対してひずみを加えて応答を測定したところ、OFET型ひずみセンサとして動作することを確認したので報告する。