9:30 AM - 11:30 AM
[11a-PA5-7] Effect of Alkali Metal Adsorption on Thermionic Emission of Nitride Semiconductors
Keywords:nitride semiconductor, thermionic emission, alkali metal adsorption
エミッタ材料としてアルカリ金属吸着させた窒化物半導体を用い、光照射による光支援熱電子放出およびCsの熱脱離特性を評価した。光照射の有無にかかわらずCs堆積時間が増加するにつれ、放出電流値が増加した。光照射を行わない場合ではCs堆積量を増やすことで電子放出の立ち上がり温度が低下し、エミッタ表面の仕事関数が低減した。光照射時では基板温度上昇とともにCsが脱離し、仕事関数が次第に増加した。