[11a-PA5-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[11a-PA5-7] Effect of Alkali Metal Adsorption on Thermionic Emission of Nitride Semiconductors

〇Shota Uchida¹, Koichiro Yasuhara¹, Shigeya Kimura², Hisashi Yoshida², Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Toshiba Corp.)

Keywords:nitride semiconductor, thermionic emission, alkali metal adsorption

エミッタ材料としてアルカリ金属吸着させた窒化物半導体を用い、光照射による光支援熱電子放出およびCsの熱脱離特性を評価した。光照射の有無にかかわらずCs堆積時間が増加するにつれ、放出電流値が増加した。光照射を行わない場合ではCs堆積量を増やすことで電子放出の立ち上がり温度が低下し、エミッタ表面の仕事関数が低減した。光照射時では基板温度上昇とともにCsが脱離し、仕事関数が次第に増加した。