[11a-PB2-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[11a-PB2-1] SiO₂，Si₃N₄膜へのH₂O分子の透過障壁の生成要因

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：耐湿性、分子軌道計算法、シリコン酸化膜

SiO_x膜の耐湿性を評価するために，SiO₂結晶（クリストバライト，トリディマイト，石英，コーサイト），Si₃N₄結晶へのH₂O分子の透過障壁及び格子間の空隙のサイズを分子軌道計算法で計算した．この結果，(1) SiO₂結晶（コーサイト）はSi₃N₄結晶には及ばないがSiO2結晶の中で最大の耐湿性を有すること，(2)多様な結晶構造を有するSiO₂結晶の耐湿性は空隙サイズで説明できること，(3) SiO₂結晶とSi₃N₄結晶の耐湿性の違いは空隙サイズだけでは説明できないことが分かった．