[11a-PB2-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[11a-PB2-10] AlONゲート絶縁膜へのHf添加によるホールリーク抑制の物理的起源

〇(M2)名倉 拓哉¹、長川 健太¹、洗平 昌晃^1,2、細井 卓治³、渡部 平司³、押山 淳²、白石 賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.阪大院工)

キーワード：第一原理計算、AlON